• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
Найдено: 95
  • CLF1G0060-10 - 10W BROADBAND RF
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Package / Case: SOT-1227A
    • Тип корпуса: CDFM2
    • Частота: 6GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 880MHZ TO-270-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270-2
    • Тип корпуса: TO-270-2
    • Частота: 880MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 350mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 22.7dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 2GHZ NI-200Z
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-200Z
    • Тип корпуса: NI-200Z
    • Частота: 2GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 75mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 11.5dB
    • Voltage - Test: 26V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: