• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
Найдено: 84
  • FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: SOT-502A
    • Тип корпуса: LDMOST
    • Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 700mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 12A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CLF1G0035-100 - 100W BROADBAND R
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Package / Case: SOT-1228A
    • Тип корпуса: LDMOST
    • Частота: 3.5GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 330mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 12.5dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 72V 860MHZ M246
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: M246
    • Тип корпуса: M246
    • Частота: 860MHz
    • Номинальное напряжение: 72V
    • Current - Test: 400mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 14A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: PG-64248-2
    • Частота: 1.88GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 750mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247
    • Частота: 81.36MHz
    • Номинальное напряжение: 500V
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 125V
    • Номинальный ток: 9A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET HEMT 50V LDMOST
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1228A
    • Тип корпуса: LDMOST
    • Частота: 3GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: GaN HEMT
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET HEMT 50V 440162
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440162
    • Тип корпуса: 440162
    • Частота: 1.8GHz ~ 2.2GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 20dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 6A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780S-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-780S-4L
    • Тип корпуса: NI-780S-4L
    • Частота: 512MHz
    • Номинальное напряжение: 133V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 26dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
    • Тип корпуса: PG-63248-2
    • Частота: 1.88GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 750mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230S
    • Тип корпуса: NI-1230S
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 70V
    • Current - Test: 2.4A
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 19.4dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247
    • Частота: 81.36MHz
    • Номинальное напряжение: 500V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 125V
    • Номинальный ток: 9A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET LDMOS 50V NI780-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-780-4
    • Тип корпуса: NI-780-4
    • Частота: 512MHz
    • Номинальное напряжение: 133V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 26dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-540A
    • Тип корпуса: LDMOST
    • Частота: 1.3GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 16.5dB
    • Voltage - Test: 32V
    • Номинальный ток: 32A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: SOT-467C
    • Тип корпуса: SOT467C
    • Частота: 3GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 330mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: GaN HEMT
    • Усиление: 12dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270-2
    • Тип корпуса: TO-270-2
    • Частота: 136MHz ~ 941MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 450mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 22.8dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: