• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
Найдено: 84
  • FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230S
    • Тип корпуса: NI-1230S
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 70V
    • Current - Test: 2.4A
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 19.4dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-272-14 Variant, Flat Leads
    • Тип корпуса: TO-272 WB-14
    • Частота: 869MHz ~ 960MHz
    • Номинальное напряжение: 66V
    • Current - Test: 120mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 33.5dB
    • Voltage - Test: 26V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 869MHz ~ 960MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 700mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 26V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4G
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: OM-780G-4L
    • Тип корпуса: OM-780G-4L
    • Частота: 920MHz
    • Номинальное напряжение: 105V
    • Current - Test: 860mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 19.5dB
    • Voltage - Test: 48V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CLF3H0035S-100U/SOT467/TRAY
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-467B
    • Тип корпуса: SOT-467B
    • Частота: 0Hz ~ 3.5GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 300mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
    • Тип корпуса: H-30275-4
    • Частота: 800MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.55A
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 32V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467B
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-467B
    • Тип корпуса: SOT-467B
    • Частота: 860MHz
    • Номинальное напряжение: 89V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 40V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 100W SOT502B
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-502B
    • Тип корпуса: SOT502B
    • Частота: 2.3GHz ~ 2.4GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 5µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
    • Тип корпуса: H-36248-2
    • Частота: 1.88GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 750mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BLP15M9S100/SOT1482/REELDP
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Серия: BLP
    • Package / Case: SOT-1482-1
    • Тип корпуса: SOT-1482-1
    • Частота: 1.5GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 400mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.7dB
    • Voltage - Test: 32V
    • Номинальный ток: 1.4µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TM-100 - 100W BROADBAND RF POWER
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: GaN HEMT
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: OM-780G-4L
    • Тип корпуса: OM-780G-4L
    • Частота: 920MHz
    • Номинальное напряжение: 105V
    • Current - Test: 860mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 19.5dB
    • Voltage - Test: 48V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANSISTOR GAN 100W 1.2-2.0GHZ
    MACOM Technology Solutions
    • Производитель: MACOM Technology Solutions
    • Частота: 1.2GHz ~ 2GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 14.8dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 4.5A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467C
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-467C
    • Тип корпуса: SOT467C
    • Частота: 860MHz
    • Номинальное напряжение: 89V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 40V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: PG-64248-2
    • Частота: 1.88GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 750mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: