-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MHT1108NT1 | RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO | NXP USA Inc. | 16-DFN (4x6) | 12.5W | 2.45GHz | 65V | 10µA | 16-VDFN Exposed Pad | LDMOS | 18.6dB | 32V | 110mA |
| MHT1008NT1 | RF MOSFET LDMOS PLD1.5W | NXP USA Inc. | PLD-1.5W | 12.5W | 2.4GHz ~ 2.5GHz | 28V | PLD-1.5W | LDMOS | 18.6dB |
- 10
- 15
- 50
- 100