-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Коэффициент шума
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TAV-541+ | RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873 | Mini-Circuits | FG873 | 21.1dB | 450MHz ~ 6GHz | 5V | 4-SMD, No Lead | E-pHEMT | 23.8dB | 1.8dB @ 5.8GHz | 3V | 60mA |
| TAV-581+ | RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873 | Mini-Circuits | FG873 | 20.2dB | 6GHz | 5V | 4-SMD, No Lead | E-pHEMT | 22.9dB | 1.5dB @ 5.8GHz | 3V | 30mA |
| TAV-551+ | RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873 | Mini-Circuits | FG873 | 20.1dB | 6GHz | 5V | 4-SMD, No Lead | E-pHEMT | 16.3dB | 1.7dB @ 5.8GHz | 3V | 15mA |
- 10
- 15
- 50
- 100