-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MWT-PH4F | MED POWER ALGAAS/INGAAS PHEMT | Microwave Technology Inc. | Chip | 22dBm | 28GHz | 84mA | Die | MESFET | 16dB | 3V | 84 mA | |
| MWT-3F | HIGH POWER GAAS MESFET | Microwave Technology Inc. | Chip | 22dBm | 500MHz ~ 26GHz | 6V | 110mA | Die | MESFET | 11dB | 4V | 110mA |
- 10
- 15
- 50
- 100