- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Коэффициент шума
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MWT-1F | HIGH GAIN GAAS LIJESFET | Microwave Technology Inc. | Chip | 100MHz ~ 12GHz | 6V | 230mA | Die | MESFET | 7dB | 2dB @ 12GHz | 4V | 230mA | |
| MWT-9F | MEDIUM POWER GAAS MESFET | Microwave Technology Inc. | Chip | 26.5dBm | 500MHz ~ 18GHz | 6V | 270mA | Die | MESFET | 8.5dB | 4V | 270mA | |
| MWT-773 | FET RF 5V 26GHZ PKG 73 | Microwave Technology Inc. | 73 | 20dBm | 500MHz ~ 20GHz | 5V | 98mA | Nonstandard SMD | MESFET | 8dB | 12dB | 3V | 10mA |
| MWT-PH33F | TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT | Microwave Technology Inc. | Chip | 24dBm | 26GHz | 90mA | Die | pHEMT FET | 14dB | 3V | 1mA | ||
| MWT-PH9F | MED POWER ALGAAS/INGAAS PHEMT | Microwave Technology Inc. | Chip | 27dBm | 26GHz | 7V | 220mA | Die | MESFET | 4V | 220mA | ||
| MWT-1789SB | FET RF 6.5V 4GHZ SOT-89 | Microwave Technology Inc. | SOT-89 | 28dbm | 500MHz ~ 4GHz | 6.5V | 440mA | TO-243AA | MESFET | 18dB | 1.3dB | 6.5 V | 440mA |
| MWT-173 | FET RF 5V 12GHZ PKG 73 | Microwave Technology Inc. | 73 | 300mW | 100MHz ~ 12GHz | 5V | 240mA | Nonstandard SMD | MESFET | 10dB | 2dB | 5V | 240mA |
| MWT-PH15F | MED POWER ALGAAS/INGAAS PHEMT | Microwave Technology Inc. | Chip | 28.5dBm | 28GHz | 6V | 170mA | Die | MESFET | 12dB | 4V | 170mA | |
| MWT-PH4F | MED POWER ALGAAS/INGAAS PHEMT | Microwave Technology Inc. | Chip | 22dBm | 28GHz | 84mA | Die | MESFET | 16dB | 3V | 84 mA | ||
| MWT-3F | HIGH POWER GAAS MESFET | Microwave Technology Inc. | Chip | 22dBm | 500MHz ~ 26GHz | 6V | 110mA | Die | MESFET | 11dB | 4V | 110mA | |
| MWT-PH27F | TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT | Microwave Technology Inc. | Chip | 25dBm | 26GHz | 120mA | Die | pHEMT FET | 14dB | 3V | 1mA | ||
| MWT-PH11F | MEDPOWER ALGAAS/INGAAS PHEMT | Microwave Technology Inc. | Chip | 12GHz | 950mA | Die | MESFET | 9dB | 3V | 950mA | |||
| MWT-7F | MED POWER GAAS MESFET | Microwave Technology Inc. | Chip | 21dBm | 500MHz ~ 26GHz | 6V | 85mA | Die | MESFET | 8dB | 2dB @ 12GHz | 4V | 85mA |
| MWT-PH31F | TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT | Microwave Technology Inc. | Chip | 30dBm | 18GHz | 280mA | Die | pHEMT FET | 13dB | 2V | 1mA | ||
| MWT-PH7F | MED POWER ALGAAS/INGAAS PHEMT | Microwave Technology Inc. | Chip | 24dBm | 28GHz | 110mA | Die | MESFET | 16dB | 3V | 110mA |
- 10
- 15
- 50
- 100