• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 22
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
MWT-PH8F TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT Microwave Technology Inc. Chip 30dBm 26GHz 300mA Die pHEMT FET 12dB 3V 1mA
MWT-PH29F TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT Microwave Technology Inc. Chip 26GHz 330mA Die pHEMT FET 11dB 3V 1mA
MWT-LN300 26 GHZ SUPER LOW NOISE PHEMT Microwave Technology Inc. Die 26GHz 4V Die pHEMT FET 10dB 0.6dB 2.5 V 25mA
MWT-A973 FET RF 5V 18GHZ PKG 73 Microwave Technology Inc. 73 24.5dBm 500MHz ~ 18GHz 5V 120mA Nonstandard SMD MESFET 6.5dB 1.8dB 3V 30mA
MWT-PH32F TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT Microwave Technology Inc. Chip 30.5dB 12GHz 360mA Die pHEMT FET 13dB 2V 1mA
MWT-5F GAAS MESFET Microwave Technology Inc. Chip 500MHz ~ 26GHz 80mA Die GaAs FET 19dB 3.5dB @ 12GHz 6V 30mA
MWT-LN600 26 GHZ SUPER LOW NOISE PHEMT Microwave Technology Inc. Die 20dBm 26GHz 5.5V Die pHEMT FET 12dB 3V 100mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100