Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Microwave Technology Inc.

Найдено: 22
  • HIGH GAIN GAAS LIJESFET
    Microwave Technology Inc.
    • Производитель: Microwave Technology Inc.
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Частота: 100MHz ~ 12GHz
    • Номинальное напряжение: 6V
    • Current - Test: 230mA
    • Тип транзистора: MESFET
    • Усиление: 7dB
    • Voltage - Test: 4V
    • Коэффициент шума: 2dB @ 12GHz
    • Номинальный ток: 230mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MEDIUM POWER GAAS MESFET
    Microwave Technology Inc.
    • Производитель: Microwave Technology Inc.
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Частота: 500MHz ~ 18GHz
    • Номинальное напряжение: 6V
    • Current - Test: 270mA
    • Выходная мощность: 26.5dBm
    • Тип транзистора: MESFET
    • Усиление: 8.5dB
    • Voltage - Test: 4V
    • Номинальный ток: 270mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 5V 26GHZ PKG 73
    Microwave Technology Inc.
    • Производитель: Microwave Technology Inc.
    • Package / Case: Nonstandard SMD
    • Тип корпуса: 73
    • Частота: 500MHz ~ 20GHz
    • Номинальное напряжение: 5V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 20dBm
    • Тип транзистора: MESFET
    • Усиление: 8dB
    • Voltage - Test: 3V
    • Коэффициент шума: 12dB
    • Номинальный ток: 98mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    Microwave Technology Inc.
    • Производитель: Microwave Technology Inc.
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Частота: 26GHz
    • Current - Test: 1mA
    • Выходная мощность: 24dBm
    • Тип транзистора: pHEMT FET
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 3V
    • Номинальный ток: 90mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MED POWER ALGAAS/INGAAS PHEMT
    Microwave Technology Inc.
    • Производитель: Microwave Technology Inc.
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Частота: 26GHz
    • Номинальное напряжение: 7V
    • Current - Test: 220mA
    • Выходная мощность: 27dBm
    • Тип транзистора: MESFET
    • Voltage - Test: 4V
    • Номинальный ток: 220mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 6.5V 4GHZ SOT-89
    Microwave Technology Inc.
    • Производитель: Microwave Technology Inc.
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: SOT-89
    • Частота: 500MHz ~ 4GHz
    • Номинальное напряжение: 6.5V
    • Current - Test: 440mA
    • Выходная мощность: 28dbm
    • Тип транзистора: MESFET
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 6.5 V
    • Коэффициент шума: 1.3dB
    • Номинальный ток: 440mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 5V 12GHZ PKG 73
    Microwave Technology Inc.
    • Производитель: Microwave Technology Inc.
    • Package / Case: Nonstandard SMD
    • Тип корпуса: 73
    • Частота: 100MHz ~ 12GHz
    • Номинальное напряжение: 5V
    • Current - Test: 240mA
    • Выходная мощность: 300mW
    • Тип транзистора: MESFET
    • Усиление: 10dB
    • Voltage - Test: 5V
    • Коэффициент шума: 2dB
    • Номинальный ток: 240mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MED POWER ALGAAS/INGAAS PHEMT
    Microwave Technology Inc.
    • Производитель: Microwave Technology Inc.
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Частота: 28GHz
    • Номинальное напряжение: 6V
    • Current - Test: 170mA
    • Выходная мощность: 28.5dBm
    • Тип транзистора: MESFET
    • Усиление: 12dB
    • Voltage - Test: 4V
    • Номинальный ток: 170mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MED POWER ALGAAS/INGAAS PHEMT
    Microwave Technology Inc.
    • Производитель: Microwave Technology Inc.
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Частота: 28GHz
    • Current - Test: 84 mA
    • Выходная мощность: 22dBm
    • Тип транзистора: MESFET
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 3V
    • Номинальный ток: 84mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HIGH POWER GAAS MESFET
    Microwave Technology Inc.
    • Производитель: Microwave Technology Inc.
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Частота: 500MHz ~ 26GHz
    • Номинальное напряжение: 6V
    • Current - Test: 110mA
    • Выходная мощность: 22dBm
    • Тип транзистора: MESFET
    • Усиление: 11dB
    • Voltage - Test: 4V
    • Номинальный ток: 110mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    Microwave Technology Inc.
    • Производитель: Microwave Technology Inc.
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Частота: 26GHz
    • Current - Test: 1mA
    • Выходная мощность: 25dBm
    • Тип транзистора: pHEMT FET
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 3V
    • Номинальный ток: 120mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MEDPOWER ALGAAS/INGAAS PHEMT
    Microwave Technology Inc.
    • Производитель: Microwave Technology Inc.
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Частота: 12GHz
    • Current - Test: 950mA
    • Тип транзистора: MESFET
    • Усиление: 9dB
    • Voltage - Test: 3V
    • Номинальный ток: 950mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MED POWER GAAS MESFET
    Microwave Technology Inc.
    • Производитель: Microwave Technology Inc.
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Частота: 500MHz ~ 26GHz
    • Номинальное напряжение: 6V
    • Current - Test: 85mA
    • Выходная мощность: 21dBm
    • Тип транзистора: MESFET
    • Усиление: 8dB
    • Voltage - Test: 4V
    • Коэффициент шума: 2dB @ 12GHz
    • Номинальный ток: 85mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    Microwave Technology Inc.
    • Производитель: Microwave Technology Inc.
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Частота: 18GHz
    • Current - Test: 1mA
    • Выходная мощность: 30dBm
    • Тип транзистора: pHEMT FET
    • Усиление: 13dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Номинальный ток: 280mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MED POWER ALGAAS/INGAAS PHEMT
    Microwave Technology Inc.
    • Производитель: Microwave Technology Inc.
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Chip
    • Частота: 28GHz
    • Current - Test: 110mA
    • Выходная мощность: 24dBm
    • Тип транзистора: MESFET
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 3V
    • Номинальный ток: 110mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: