• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
PCFQ8P10W DIE MOSFET P-CH 100V MICROSS/On Semiconductor Die Surface Mount Die
BSS138 MOSFET N-CH 50V 220MA DIE MICROSS/On Semiconductor Die Surface Mount Die MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 360mW (Ta) 50V 220mA (Ta) 3.5Ohm @ 220mA, 10V 10V 1.5V @ 1mA 2.4nC @ 10V 27pF @ 25V ±20V
PCFQ5P10W DIE MOSFET P-CH 100V MICROSS/On Semiconductor Die Surface Mount Die
FDN340P DIE ASSYMERTRICAL FOR FDC6329L MICROSS/On Semiconductor Die Surface Mount Die MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 500mW (Ta) 20V 2A (Ta) 70mOhm @ 2A, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.5V @ 250µA 10nC @ 4.5V 779pF @ 10V ±8V PowerTrench®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100