• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 32
  • APTM20DUM04G
    MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 372A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 10mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 1250W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM10DUM02G
    MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 495A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 10mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1360nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 1250W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM10DHM05G
    MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 278A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 700nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 780W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTC80AM75SCG
    MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 56A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 28A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 364nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9015pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 568W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM120A20SG
    MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 6mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 600nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 15200pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 1250W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM120DU15G
    MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 10mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 748nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 20600pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 1250W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM50DHM38G
    MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 90A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11200pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 694W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM50AM17FG
    MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 180A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 10mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 28000pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 1250W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM20HM10FG
    MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Тип канала: 4 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 175A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 224nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13700pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 694W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM100UM45DAG
    MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: POWER MOS 7®
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 107.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 30mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1602nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 42700pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5000W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM100A13DG
    MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V (1kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 65A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 6mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 562nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 15200pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 1250W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM20AM05FG
    MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 317A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 158.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 10mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 448nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 27400pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 1136W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM100A13SG
    MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V (1kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 65A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 6mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 562nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 15200pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 1250W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM10HM05FG
    MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Тип канала: 4 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 278A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 700nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 780W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM10AM02FG
    MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 495A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 10mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1360nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 1250W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100