-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP6
- Тип корпуса: SP6-P
- Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 72A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 416W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP6
- Тип корпуса: SP6-P
- Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 139A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 390W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: CoolMOS™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: SP6-P
- Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 116A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 88A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.6V @ 6mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 580nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 100V
- Мощность - Макс.: 625W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP6
- Тип корпуса: SP6-P
- Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 51A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 390W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: SP6-P
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100