• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 20
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Серия
APTC60TAM35PG MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P Microchip Technology SP6-P 416W Chassis Mount SP6 -40°C ~ 150°C (TJ) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 600V 72A Standard 35mOhm @ 72A, 10V 3.9V @ 5.4mA 518nC @ 10V 14000pF @ 25V
APTM10TAM09FPG MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P Microchip Technology SP6-P 390W Chassis Mount SP6 -40°C ~ 150°C (TJ) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 139A Standard 10mOhm @ 69.5A, 10V 4V @ 2.5mA 350nC @ 10V 9875pF @ 25V
APTC60TAM21SCTPAG MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P Microchip Technology SP6-P 625W Chassis Mount Module -40°C ~ 150°C (TJ) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 600V 116A Standard 21mOhm @ 88A, 10V 3.6V @ 6mA 580nC @ 10V 13000pF @ 100V CoolMOS™
APTM50TAM65FPG MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P Microchip Technology SP6-P 390W Chassis Mount SP6 -40°C ~ 150°C (TJ) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 500V 51A Standard 78mOhm @ 25.5A, 10V 5V @ 2.5mA 140nC @ 10V 7000pF @ 25V
MSCC60VRM45TAPG PM-MOSFET-COOLMOS-SP6P Microchip Technology SP6-P Chassis Mount Module 600V 40A (Tc)
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100