Найдено: 20
  • MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6-P
    • Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 72A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 416W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6-P
    • Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 139A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 390W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: CoolMOS™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP6-P
    • Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 116A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 88A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.6V @ 6mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 580nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 100V
    • Мощность - Макс.: 625W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6-P
    • Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 51A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 390W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PM-MOSFET-COOLMOS-SP6P
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP6-P
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: