-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: CoolMOS™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Super Junction
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 49A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 250W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 72A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 416W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 40A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 33A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10552pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 390W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Тип канала: 2 N Channel (Phase Leg)
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V (1.7kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 2.5mA (Typ)
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 1000V
- Мощность - Макс.: 350W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Тип канала: 4 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 277W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100