Найдено: 2
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
LND150N8-G MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 Microchip Technology SOT-89-3 Surface Mount TO-243AA MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 1.6W (Ta) 500V 30mA (Tj) Depletion Mode 1000Ohm @ 500µA, 0V 0V 10pF @ 25V ±20V
TN2425N8-G MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3 Microchip Technology SOT-89-3 Surface Mount TO-243AA MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 1.6W (Tc) 25V 480mA (Tj) 3.5Ohm @ 500mA, 10V 3V, 10V 2.5V @ 1mA 200pF @ 25V ±20V