-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TC8020K6-G-M937 | MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN | Microchip Technology | 56-QFN (8x8) | Surface Mount | 56-VFQFN Exposed Pad | -55°C ~ 150°C (TJ) | 6 N and 6 P-Channel | 200V | Standard | 8Ohm @ 1A, 10V | 2.4V @ 1mA | 50pF @ 25V |
| TC8020K6-G | MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN | Microchip Technology | 56-QFN (8x8) | Surface Mount | 56-VFQFN Exposed Pad | -55°C ~ 150°C (TJ) | 6 N and 6 P-Channel | 200V | Standard | 8Ohm @ 1A, 10V | 2.4V @ 1mA | 50pF @ 25V |
- 10
- 15
- 50
- 100