• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
MSJPF20N65-BP N-CHANNEL MOSFET, TO-220F PACKAG Micro Commercial Co TO-220F Through Hole TO-220-3 Full Pack MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 31.3W (Tc) 650V 11A 380mOhm @ 5.5A, 10V 10V 4V @ 250µA 21nC @ 10V 901pF @ 50V ±30V
MCPF05N80-BP N-CHANNEL MOSFET, TO-220F PACKAG Micro Commercial Co TO-220F Through Hole TO-220-3 Full Pack MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 25W 800V 5A 2.8Ohm @ 2.5A, 10V 10V 4V @ 250µA 27nC @ 10V 667pF @ 25V ±30V
MSJPF11N65-BP N-CHANNEL MOSFET, TO-220F PACKAG Micro Commercial Co TO-220F Through Hole TO-220-3 Full Pack MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 31.3W (Tc) 650V 11A 380mOhm @ 5.5A, 10V 10V 4V @ 250µA 21nC @ 10V 901pF @ 50V ±30V
MCPF07N65-BP N-CHANNEL MOSFET, TO-220F PACKAG Micro Commercial Co TO-220F Through Hole TO-220-3 Full Pack MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 650V 7A 1.4Ohm @ 3.5A, 10V 10V 4.5V @ 250µA 26nC @ 10V 1600pF @ 25V ±30V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100