-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MCU80N03A-TP | N-CHANNEL MOSFET, DPAK PACKAGE | Micro Commercial Co | DPAK | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | N-Channel | 45W (Tc) | 30V | 80A (Tc) | 5.5mOhm @ 20A, 10V | 4.5V, 10V | 2.5V @ 250µA | 52.8nC @ 10V | 2150pF @ 15V | ±20V |
| MCU12P06-TP | P-CHANNEL MOSFET, TO-252 PACKAGE | Micro Commercial Co | DPAK | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 40W | 60V | 12A | 80mOhm @ 3.1A, 10V | 4.5V, 10V | 3V @ 250µA | 12nC @ 4.5V | 650pF @ 15V | ±20V |
| MSJU11N65-TP | N-CHANNEL MOSFET, TO-252 PACKAGE | Micro Commercial Co | DPAK | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 78W (Tc) | 650V | 11A | 380mOhm @ 5.5A, 10V | 10V | 4V @ 250µA | 21nC @ 10V | 901pF @ 50V | ±30V |
- 10
- 15
- 50
- 100