• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
MCCD2005-TP MOSFET 2N-CH 20V 8A Micro Commercial Co DFN2030-6 Surface Mount 6-WFDFN Exposed Pad -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 8A Standard 13mOhm @ 8A, 10V 1V @ 250µA 17.9nC @ 4.5V 1800pF @ 10V
MCCD2007-TP MOSFET 2N-CH 20V 7A Micro Commercial Co DFN2030-6 Surface Mount 6-WFDFN Exposed Pad -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7A Standard 20mOhm @ 7A, 10V 1V @ 250µA 15nC @ 4.5V 1150pF @ 10V
MCCD2004-TP MOSFET 2N-CH 20V 10A Micro Commercial Co DFN2030-6 Surface Mount 6-WFDFN Exposed Pad -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 10A Standard 10mOhm @ 8A, 10V 1V @ 250µA 18.5nC @ 4.5V 1955pF @ 10V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100