• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
MCM1208-TP MOSFET P-CH 12V 8A DFN202 Micro Commercial Co DFN2020-6J Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 12V 8A (Ta) 28mOhm @ 5A, 4.5V 1.5V, 4.5V 1V @ 250µA 21nC @ 4.5V 1275pF @ 6V ±8V
MCMN2012-TP MOSFET N-CH 20V 12A DFN202 Micro Commercial Co DFN2020-6J Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 20V 12A (Ta) 11mOhm @ 9.7A, 4.5V 1.2V, 4.5V 1V @ 250µA 32nC @ 5V 1800pF @ 4V ±10V
MCM1206-TP MOSFET P-CH 12V 6A DFN202 Micro Commercial Co DFN2020-6J Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 12V 6A (Ta) 45mOhm @ 3.5A, 4.5V 1.8V, 4.5V 0.9V @ 250µA 7.8nC @ 4.5V 740pF @ 4V ±8V
MCM1216-TP MOSFET P-CH 12V 16A DFN202 Micro Commercial Co DFN2020-6J Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 2.5W (Ta), 18W (Tc) 12V 16A (Ta) 21mOhm @ 6.7A, 4.5V 2.5V, 4.5V 1V @ 250µA 100nC @ 8V 2700pF @ 10V ±8V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100