Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Micro Commercial Co DFN2020-6J

- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 4

MCM1208-TP

MOSFET P-CH 12V 8A DFN202

Micro Commercial Co
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN2020-6J
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1275pF @ 6V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±8V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MCMN2012-TP

MOSFET N-CH 20V 12A DFN202

Micro Commercial Co
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN2020-6J
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 4V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±10V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MCM1206-TP

MOSFET P-CH 12V 6A DFN202

Micro Commercial Co
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN2020-6J
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 4V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±8V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MCM1216-TP

MOSFET P-CH 12V 16A DFN202

Micro Commercial Co
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN2020-6J
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.7A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 8V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta), 18W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±8V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: