-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MCMG66-TP | P-CHANNEL MOSFET, DFN2020-6G PAC | Micro Commercial Co | DFN2020-6G | Surface Mount | 6-WDFN Exposed Pad | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 1.7W (Ta) | 16V | 5.8A (Ta) | 45mOhm @ 4.1A, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1V @ 250µA | 7.8nC @ 4.5V | 740pF @ 4V | ±8V |
- 10
- 15
- 50
- 100