-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI3134KL3-TP | MOSFET N-CH 20V DFN1006-3 | Micro Commercial Co | DFN1006-3 | Surface Mount | SC-101, SOT-883 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 100mW | 20V | 750mA | 500mOhm @ 150mA, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 120pF @ 16V | ±12V |
| SI3139KL3-TP | MOSFET P-CH 20V DFN1006-3 | Micro Commercial Co | DFN1006-3 | Surface Mount | SC-101, SOT-883 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 100mW | 20V | 660mA | 500mOhm @ 150mA, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 113pF @ 16V | ±12V |
- 10
- 15
- 50
- 100