Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Micro Commercial Co DFN1006-3

Найдено: 2
  • MOSFET N-CH 20V DFN1006-3
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: DFN1006-3
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 750mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 150mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 16V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET P-CH 20V DFN1006-3
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: DFN1006-3
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 660mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 150mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 16V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: