-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP264 | MOSFET N-CH 250V 38A TO247 | IXYS | TO-247AD | Through Hole | TO-247-3 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 280W (Tc) | 250V | 38A (Tc) | 75mOhm @ 23A, 10V | 10V | 4V @ 250µA | 210nC @ 10V | 4800pF @ 25V | ±20V | |
IXFH100N25P | MOSFET N-CH 250V 100A TO-247 | IXYS | TO-247AD | Through Hole | TO-247-3 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 600W (Tc) | 250V | 100A (Tc) | 27mOhm @ 50A, 10V | 10V | 5V @ 4mA | 185nC @ 10V | 6300pF @ 25V | ±20V | PolarHT™ HiPerFET™ |
IXTJ36N20 | MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD | IXYS | TO-247AD | Through Hole | TO-3P-3 Full Pack | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 300W (Tc) | 200V | 36A (Tc) | 70mOhm @ 18A, 10V | 10V | 4V @ 4mA | 140nC @ 10V | 2970pF @ 25V | ±20V | HiPerFET™ |
IRFP470 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD | IXYS | TO-247AD | Through Hole | TO-3P-3 Full Pack | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 300W (Tc) | 500V | 24A (Tc) | 230mOhm @ 12A, 10V | 10V | 4V @ 250µA | 190nC @ 10V | 4200pF @ 25V | ±20V | MegaMOS™ |
IRFP460 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD | IXYS | TO-247AD | Through Hole | TO-3P-3 Full Pack | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 260W (Tc) | 500V | 20A (Tc) | 270mOhm @ 12A, 10V | 10V | 4V @ 250µA | 210nC @ 10V | 4200pF @ 25V | ±20V | MegaMOS™ |
IRFP250 | MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD | IXYS | TO-247AD | Through Hole | TO-247-3 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 190W (Tc) | 200V | 30A (Tc) | 85mOhm @ 18A, 10V | 10V | 4V @ 250µA | 140nC @ 10V | 2970pF @ 25V | ±20V | |
IRFP260 | MOSFET N-CH 200V 46A TO247 | IXYS | TO-247AD | Through Hole | TO-247-3 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 280W (Tc) | 200V | 46A (Tc) | 55mOhm @ 28A, 10V | 10V | 4V @ 250µA | 230nC @ 10V | 3900pF @ 25V | ±20V | |
IRFP450 | MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AD | IXYS | TO-247AD | Through Hole | TO-3P-3 Full Pack | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 190W (Tc) | 500V | 14A (Tc) | 400mOhm @ 8.4A, 10V | 10V | 4V @ 250µA | 150nC @ 10V | 2800pF @ 25V | ±20V |
- 10
- 15
- 50
- 100