• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 51
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
IXTH240N15X4 MOSFET N-CH 150V 240A TO-247 IXYS TO-247 Through Hole TO-247-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 940W (Tc) 150V 240A (Tc) 4.4mOhm @ 120A, 10V 10V 4.5V @ 250µA 195nC @ 10V 8900pF @ 25V ±20V
IXFH22N65X2 MOSFET N-CH 650V 22A TO-247 IXYS TO-247 Through Hole TO-247-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 390W (Tc) 650V 22A (Tc) 160mOhm @ 11A, 10V 10V 5.5V @ 1.5mA 38nC @ 10V 2310pF @ 25V ±30V HiPerFET™
IXTH140N075L2 MOSFET N-CH IXYS TO-247 Through Hole TO-247-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 540W (Tc) 75V 140A (Tc) 11mOhm @ 70A, 10V 10V 4.5V @ 250µA 275nC @ 10V 9300pF @ 25V ±20V Linear L2™
IXTH10N100D2 MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247 IXYS TO-247 Through Hole TO-247-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 695W (Tc) 1000V 10A (Tc) Depletion Mode 1.5Ohm @ 5A, 10V 10V 200nC @ 5V 5320pF @ 25V ±20V
IXFH80N65X2 MOSFET N-CH 650V 80A TO-247 IXYS TO-247 Through Hole TO-247-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 890W (Tc) 650V 80A (Tc) 40mOhm @ 40A, 10V 10V 5.5V @ 4mA 143nC @ 10V 8245pF @ 25V ±30V HiPerFET™
IXFH46N65X2 MOSFET N-CH 650V 46A TO-247 IXYS TO-247 Through Hole TO-247-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 660W (Tc) 650V 46A (Tc) 76mOhm @ 23A, 10V 10V 5.5V @ 4mA 75nC @ 10V 4810pF @ 25V ±30V HiPerFET™
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100