Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET IXYS TO-247-3

- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 4

IXFH24N60X

MOSFET N-CH 600V 24A TO-247

IXYS
- Производитель: IXYS
- Серия: HiPerFET™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 400W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IXFH14N85X

MOSFET N-CH 850V 14A TO247AD

IXYS
- Производитель: IXYS
- Серия: HiPerFET™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 850V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1043pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 460W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IXTH16N50D2

MOSFET N-CH 500V 16A TO-247

IXYS
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- FET Feature: Depletion Mode
- Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8A, 0V
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 199nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5250pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 695W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IXTH12N65X2

MOSFET N-CH 650V 12A TO-247

IXYS
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 180W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: