• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 212
  • IXFP3N80
    MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 685pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 100W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTP24N15T
    MOSFET N-CH 150V 24A TO-220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFP220N06T3
    60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiperFET™, TrenchT3™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 136nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8500pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 440W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFP26N30X3
    300V/26A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 13A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1.465nF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 170W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTP1R6N50P
    MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 43W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTP100N04T2
    MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: TrenchT2™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2690pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 150W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTP05N100P
    MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: Polar™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 250mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 50µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 196pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 50W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTP05N100M
    MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 700mA (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 25W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTP08N50D2
    MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • FET Feature: Depletion Mode
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 312pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 60W (Tc)
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTP1N100
    MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 54W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTP10N60PM
    MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 50W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTP1N80
    MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 40W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTP6N50P
    MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 50µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 100W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTP2N100
    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 100W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTP80N12T2
    DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN2 TO-2
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 120V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4740pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 325W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100