• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 175
  • IXFN44N80P
    MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 694W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN44N100Q3
    MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 264nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 960W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFE48N50Q
    MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 400W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN132N50P3
    MOSFET N-CH 500V 112A SOT227
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, Polar3™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18600pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1500W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN64N50PD2
    MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 625W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFE44N50QD3
    MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 400W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN340N07
    MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 70V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 490nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 12200pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 700W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN40N110P
    MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: Polar™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 310nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 890W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTN62N50L
    MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 550nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11500pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 800W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFE80N50
    MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9890pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 580W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN25N90
    MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10800pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 600W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN100N65X2
    MOSFET N-CH
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 183nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10800pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 595W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFE55N50
    MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 500W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXKN40N60C
    MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: CoolMOS™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • FET Feature: Super Junction
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 2.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 290W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTE250N10
    MOSFET N-CH 100V 250A ISOPLUS227
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 250A
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 730W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100