-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: IXYS
- Серия: HiPerFET™, PolarP2™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: PLUS247™-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 193nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11100pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 780W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
-
- Производитель: IXYS
- Серия: TrenchP™
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: PLUS247™-3
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 740nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 73000pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
-
- Производитель: IXYS
- Серия: HiPerFET™, Polar3™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: PLUS247™-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 197nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 12100pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1300W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: IXYS
- Серия: HiPerFET™, Polar3™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: PLUS247™-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13100pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1300W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
-
- Производитель: IXYS
- Серия: HiPerFET™, PolarP2™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: PLUS247™-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 197nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11900pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 780W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
-
- Производитель: IXYS
- Серия: HiPerFET™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: PLUS247™-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 45A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 210nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8500pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1100W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
-
- Производитель: IXYS
- Серия: HiPerFET™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: PLUS247™-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 4mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 146nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 500W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
-
- Производитель: IXYS
- Серия: HiPerFET™, PolarP2™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: PLUS247™-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 13A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16000pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 960W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
-
- Производитель: IXYS
- Серия: HiPerFET™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: PLUS247™-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 360W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
- 10
- 15
- 50
- 100