Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET IXYS PLUS220

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 42
  • IXFV12N80P
    MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarHT™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3, Short Tab
    • Тип корпуса: PLUS220
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 360W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTV60N30T
    MOSFET N-CH 300V 60A PLUS220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-3, Short Tab
    • Тип корпуса: PLUS220
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTV130N15T
    MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-3, Short Tab
    • Тип корпуса: PLUS220
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFV20N80P
    MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarHT™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3, Short Tab
    • Тип корпуса: PLUS220
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4685pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 500W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFV110N10P
    MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHT™ HiPerFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3, Short Tab
    • Тип корпуса: PLUS220
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3550pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 480W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTV96N25T
    MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: TrenchHV™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3, Short Tab
    • Тип корпуса: PLUS220
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 625W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFV12N90P
    MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarP2™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3, Short Tab
    • Тип корпуса: PLUS220
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 380W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTV30N60P
    MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3, Short Tab
    • Тип корпуса: PLUS220
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5050pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 540W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTV98N20T
    MOSFET N-CH 200V 98A PLUS220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-3, Short Tab
    • Тип корпуса: PLUS220
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTV72N30T
    MOSFET N-CH 300V 72A PLUS220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-3, Short Tab
    • Тип корпуса: PLUS220
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFV14N80P
    MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarHT™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3, Short Tab
    • Тип корпуса: PLUS220
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3900pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 400W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFV16N80P
    MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarHT™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3, Short Tab
    • Тип корпуса: PLUS220
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 460W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTV102N25T
    MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-3, Short Tab
    • Тип корпуса: PLUS220
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXUV170N075
    MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-3, Short Tab
    • Тип корпуса: PLUS220
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTV36N50P
    MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3, Short Tab
    • Тип корпуса: PLUS220
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 540W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100