Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET IXYS PLUS-220SMD

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 36
  • IXFV30N60PS
    MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarHT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 500W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFV74N20PS
    MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220-S
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHT™ HiPerFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 107nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 480W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFV22N50PS
    MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarHT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFV18N90PS
    MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarP2™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 97nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5230pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 540W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFV18N60PS
    MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarHT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 360W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTV03N400S
    MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 4000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 130W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFV96N15PS
    MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220-S
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHT™ HiPerFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 480W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFV22N60PS
    MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarHT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 400W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTV30N50PS
    MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 460W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFV30N50PS
    MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarHT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 460W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFV12N90PS
    MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarP2™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 380W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFV12N120PS
    MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarP2™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 103nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 543W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTV02N250S
    MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 2500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 116pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 83W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFV16N80PS
    MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarHT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 460W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFV12N80PS
    MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220-S
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarHT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 360W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100