Найдено: 36
  • MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: TrenchMV™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 550W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHT™ HiPerFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3550pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 480W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 400W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 460W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 460W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarP2™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 540W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarHT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4685pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 500W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 300V 52A PLUS220-S
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHT™ HiPerFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3490pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 400W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 540W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarHT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 400W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: TrenchMV™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9800pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 550W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 360W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220-S
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: TrenchMV™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: PLUS-220SMD
    • Тип корпуса: PLUS-220SMD
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 550W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: