• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
MKE38P600TLB-TRR MOSFET N-CH IXYS ISOPLUS-SMPD™.B Surface Mount 9-SMD Module
MKE38P600LB-TUB MOSFET N-CH 600V 50A SMPD IXYS ISOPLUS-SMPD™.B Surface Mount 9-SMD Module MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 600V 50A (Tc)
MKE38P600TLB MOSFET N-CH IXYS ISOPLUS-SMPD™.B Surface Mount 9-SMD Module 600V 50A (Tc)
MKE38P600LB-TRR MOSFET N-CH 600V 50A SMPD IXYS ISOPLUS-SMPD™.B Surface Mount 9-SMD Module MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 600V 50A (Tc)
MKE38RK600DFEL-TUB MOSFET N-CH 600V 50A SMPD IXYS ISOPLUS-SMPD™.B Surface Mount 9-SMD Module MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 600V 50A (Tc) 45mOhm @ 44A, 10V 10V 3.5V @ 3mA 190nC @ 10V 6800pF @ 100V ±20V CoolMOS™
MKE38RK600DFEL-TRR MOSFET N-CH 600V 50A SMPD IXYS ISOPLUS-SMPD™.B Surface Mount 9-SMD Module MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 600V 50A (Tc) 45mOhm @ 44A, 10V 10V 3.5V @ 3mA 190nC @ 10V 6800pF @ 100V ±20V CoolMOS™
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100