Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET IXYS-RF 16-SMPD

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • IXRFSM18N50
    18A 500V MOSFET IN SMPD PACKAGE
    IXYS-RF
    • Производитель: IXYS-RF
    • Серия: SMPD
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
    • Тип корпуса: 16-SMPD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.5A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 400V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 835W
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXRFSM12N100
    2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
    IXYS-RF
    • Производитель: IXYS-RF
    • Серия: SMPD
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
    • Тип корпуса: 16-SMPD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2875pF @ 800V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 940W
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100