• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
DE150-102N02A RF MOSFET N-CHANNEL DE150 IXYS-RF DE150 200W 1000V 2A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
150-102N02A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE150 IXYS-RF DE150 200W 1000V 2A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
150-201N09A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE150 IXYS-RF DE150 200W 200V 9A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
150-101N09A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE150 IXYS-RF DE150 200W 100V 9A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
DE150-501N04A RF MOSFET N-CHANNEL DE150 IXYS-RF DE150 200W 500V 4.5A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel 25µA DE
150-501N04A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE150 IXYS-RF DE150 200W 500V 4.5A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel 25µA DE
IXZH10N50L2B RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 IXYS-RF TO-247 (IXFH) 200W 70MHz 500V 10A TO-247-3 N-Channel 17dB 100V Z-MOS™
IXZH10N50L2A RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 IXYS-RF TO-247 (IXFH) 200W 70MHz 500V 10A TO-247-3 N-Channel 17dB 100V Z-MOS™
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100