• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 41
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
DE150-102N02A RF MOSFET N-CHANNEL DE150 IXYS-RF DE150 200W 1000V 2A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
275-501N16A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE275 IXYS-RF DE275 590W 500V 16A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
375-501N21A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE375 IXYS-RF DE375 940W 50MHz 500V 25A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
IXRFSM18N50 18A 500V MOSFET IN SMPD PACKAGE IXYS-RF 16-SMPD Surface Mount 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 835W 500V 19A (Tc) 340mOhm @ 9.5A, 20V 20V 6.5V @ 250µA 42nC @ 10V 2250pF @ 400V ±20V SMPD
275-101N30A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE275 IXYS-RF DE275 550W 100V 30A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
150-102N02A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE150 IXYS-RF DE150 200W 1000V 2A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
475-102N20A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE475 IXYS-RF DE475 1800W 1000V 20A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
IXZ318N50 RF MOSFET N-CHANNEL IXYS-RF DE375 880W 65MHz 500V 19A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel 23dB 100V Z-MOS™
150-201N09A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE150 IXYS-RF DE150 200W 200V 9A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
150-101N09A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE150 IXYS-RF DE150 200W 100V 9A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
IXZR08N120B-00 RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 IXYS-RF PLUS247™-3 250W 65MHz 1200V 8A TO-247-3 N-Channel 23dB 100V Z-MOS™
375-102N15A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE375 IXYS-RF DE375 940W 1000V 15A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
DE150-501N04A RF MOSFET N-CHANNEL DE150 IXYS-RF DE150 200W 500V 4.5A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel 25µA DE
IXFK44N50F MOSFET N-CH 500V 44A TO264 IXYS-RF TO-264 (IXFK) Through Hole TO-264-3, TO-264AA MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 500W (Tc) 500V 44A (Tc) 120mOhm @ 22A, 10V 10V 5.5V @ 4mA 156nC @ 10V 5500pF @ 25V ±20V HiPerRF™
150-501N04A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE150 IXYS-RF DE150 200W 500V 4.5A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel 25µA DE
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100