• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
Найдено: 41
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
375-501N21A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE375 IXYS-RF DE375 940W 50MHz 500V 25A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
375-102N12A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE375 IXYS-RF DE375 940W 1000V 12A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
150-102N02A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE150 IXYS-RF DE150 200W 1000V 2A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
275-102N06A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE275 IXYS-RF DE275 590W 1000V 8A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
475-102N21A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE475 IXYS-RF DE475 1800W 1000V 24A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
150-501N04A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE150 IXYS-RF DE150 200W 500V 4.5A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel 25µA DE
375-0001 RF MOSFET N-CH 1000V 10A IXYS-RF
IXZ308N120 RF MOSFET N-CHANNEL DE375 IXYS-RF DE375 880W 65MHz 1200V 8A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel 23dB 100V Z-MOS™
IXZH10N50L2A RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 IXYS-RF TO-247 (IXFH) 200W 70MHz 500V 10A TO-247-3 N-Channel 17dB 100V Z-MOS™
275-201N25A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE275 IXYS-RF DE275 590W 200V 25A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
DE375-501N21A RF MOSFET N-CHANNEL DE375 IXYS-RF DE375 940W 50MHz 500V 25A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE