- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Вид монтажа
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Усиление
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 275X2-102N06A-00 | RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 | IXYS-RF | DE275 | 1180W | 1000V | 8A | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad | 2 N-Channel (Dual) | DE | |||||||||||||||||
| IXZ2210N50L2 | RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 | IXYS-RF | 270W | 70MHz | 500V | 10A | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad | 2 N-Channel (Dual) | 17dB | 100V | Z-MOS™ | |||||||||||||||
| IXZ210N50L2 | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | IXYS-RF | DE275 | 390W | 70MHz | 500V | 10A | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | N-Channel | 17dB | 100V | Z-MOS™ | ||||||||||||||
| IXZR18N50B-00 | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | IXYS-RF | PLUS247™-3 | 350W | 65MHz | 500V | 19A | TO-247-3 | N-Channel | 23dB | 100V | Z-MOS™ | ||||||||||||||
| IXZ308N120 | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | IXYS-RF | DE375 | 880W | 65MHz | 1200V | 8A | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | N-Channel | 23dB | 100V | Z-MOS™ | ||||||||||||||
| IXZH10N50L2A | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | IXYS-RF | TO-247 (IXFH) | 200W | 70MHz | 500V | 10A | TO-247-3 | N-Channel | 17dB | 100V | Z-MOS™ | ||||||||||||||
| 275-201N25A-00 | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | IXYS-RF | DE275 | 590W | 200V | 25A | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | N-Channel | DE | |||||||||||||||||
| DE375-501N21A | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | IXYS-RF | DE375 | 940W | 50MHz | 500V | 25A | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | N-Channel | DE |
- 10
- 15
- 50
- 100