Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET IXYS Integrated Circuits Division SOT-89-3
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: IXYS Integrated Circuits Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89-3
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- FET Feature: Depletion Mode
- Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 0V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.6W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
- Напряжение затвора (макс): ±15V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS Integrated Circuits Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TA)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89-3
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- FET Feature: Depletion Mode
- Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 0V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.1W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
- Напряжение затвора (макс): ±15V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100