Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Integra Technologies Inc.

Найдено: 10
  • GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    Integra Technologies Inc.
    • Производитель: Integra Technologies Inc.
    • Package / Case: PL84A1
    • Тип корпуса: PL84A1
    • Частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz
    • Номинальное напряжение: 180V
    • Current - Test: 160mA
    • Выходная мощность: 1250W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 16.8dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND
    Integra Technologies Inc.
    • Производитель: Integra Technologies Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    Integra Technologies Inc.
    • Производитель: Integra Technologies Inc.
    • Package / Case: PL95A1
    • Тип корпуса: PL95A1
    • Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
    • Номинальное напряжение: 160V
    • Current - Test: 200mA
    • Выходная мощность: 650W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND
    Integra Technologies Inc.
    • Производитель: Integra Technologies Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    Integra Technologies Inc.
    • Производитель: Integra Technologies Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAN, RF POWER TRANSISTOR, C-BAND
    Integra Technologies Inc.
    • Производитель: Integra Technologies Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND
    Integra Technologies Inc.
    • Производитель: Integra Technologies Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    Integra Technologies Inc.
    • Производитель: Integra Technologies Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    Integra Technologies Inc.
    • Производитель: Integra Technologies Inc.
    • Package / Case: PL32A2
    • Тип корпуса: PL32A2
    • Частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz
    • Номинальное напряжение: 120V
    • Current - Test: 22mA
    • Выходная мощность: 80W
    • Тип транзистора: GaN HEMT
    • Усиление: 22dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND
    Integra Technologies Inc.
    • Производитель: Integra Technologies Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: