• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 184
  • IRFS7787PBF
    MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 109nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB03N03LB G
    MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7624pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 150W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB60R600C6ATMA1
    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 63W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB029N06N3GE8187ATMA1
    MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 118µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 188W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB020N08N5ATMA1
    MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 166nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 12100pF @ 40V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB070N06L G
    MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 126nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 214W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB097N08N3 G
    MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 46A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2410pF @ 40V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 100W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB230N06L3GATMA1
    MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 36W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB041N04NGATMA1
    MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 45µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 20V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 94W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB120P04P404ATMA1
    MOSFET P-CH TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 340µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 205nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14790pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 136W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB60R520CPATMA1
    MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 66W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB06N03LB
    MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 40µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2782pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 83W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB037N06N3GATMA1
    MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 90µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 188W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB042N03LGATMA1
    MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3900pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 79W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BUZ31 E3045A
    MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: SIPMOS®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 95W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100