• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 120µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6450pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 179W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: SIPMOS®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: HEXFET®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 92W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: CoolMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 176W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: CoolMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 104.2W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: SIPMOS®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 75W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 206nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 37.5V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: CoolMOS™ P7
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 140µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 555pF @ 400V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 41W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4750pF @ 37.5V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 150W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 234nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 136W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±16V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 181nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 20µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 56W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 30A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 20µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1355pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 52W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8410pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 214W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: CoolMOS™ P7
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 190µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 761pF @ 400V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 53W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V