• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 184
  • IPB65R310CFDAATMA1
    MOSFET N-CH TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 104.2W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFS7762PBF
    MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4440pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 140W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB054N06N3GATMA1
    MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 58µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 115W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB60R120P7ATMA1
    MOSFET N-CH TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolMOS™ P7
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 410µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1544pF @ 400V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 95W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB600N25N3GATMA1
    MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 90µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 136W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB65R660CFDATMA1
    MOSFET N-CH 650V 6A TO263
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 62.5W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB052N04NGATMA1
    MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 33µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 20V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 79W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB083N15N5LFATMA1
    MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 75V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 179W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB04N03LB G
    MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 55A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 70µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5203pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 107W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB120N03S4L03ATMA1
    MOSFET N-CH TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5300pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 79W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±16V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB12CNE8N G
    MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 85V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 67A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 83µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4340pF @ 40V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB027N10N3GATMA1
    MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 206nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14800pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB120N04S4L02ATMA1
    MOSFET N-CH TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14560pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 158W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): +20V, -16V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB035N08N3GATMA1
    MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8110pF @ 40V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 214W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB107N20NAATMA1
    MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 270µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7100pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100