• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 223nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16900pF @ 40V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 375W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: HEXFET®, StrongIRFET™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4555pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 160W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8410pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 214W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: CoolMOS™ P6
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 93W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5300pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 94W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 120V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 56A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 61µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3220pF @ 60V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 107W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 40µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2782pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 83W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 30V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 3W (Ta), 136W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4910pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 150W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 34µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 30V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 71W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: CoolMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2340pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 195.3W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3840pF @ 40V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 136W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 67A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 83µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4320pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1520pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 139W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 75A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 94µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 30V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 158W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V