• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: CoolMOS™ E6
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 104W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 543pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 62.5W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 35µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 75V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 68W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: HEXFET®, StrongIRFET™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 109nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6240pF @ 40V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 167W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: SIPMOS®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 61µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3220pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 100W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5380pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 375W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 180µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 139nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9200pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 214W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 27A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 29µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 58W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: CoolMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 119nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2660pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 278W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 90µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 136W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: CoolMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 63W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 230µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 210nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14300pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: CoolMOS™ C7
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 290µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 400V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 72W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V