-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF3546MTRPBF | MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN | Infineon Technologies | 41-PQFN (6x8) | Surface Mount | 41-PowerVFQFN | -40°C ~ 150°C (TJ) | 4 N-Channel | 25V | 16A (Tc), 20A (Tc) | Logic Level Gate | 3.9mOhm @ 27A, 10V | 2.1V @ 35µA | 15nC @ 4.5V | 1310pF @ 13V |
- 10
- 15
- 50
- 100