• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 11
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
PTFB082817FHV1XWSA1 IC FET RF LDMOS H-34288 Infineon Technologies H-34288-4/2 60W 821MHz 65V 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 19.3dB 28V 2.15A
PTFA070601EV4XWSA1 FET RF LDMOS 60W H36265-2 Infineon Technologies H-36265-2 60W 760MHz 65V H-36265-2 LDMOS 19.5dB 28V 600mA
PTFA180701FV4R250XTMA1 IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 Infineon Technologies H-37265-2 60W 1.84GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 16.5dB 28V 550mA
PTFA070601EV4R250XTMA1 FET RF LDMOS 60W H36265-2 Infineon Technologies H-36265-2 60W 760MHz 65V H-36265-2 LDMOS 19.5dB 28V 600mA
PTFA180701FV4FWSA1 IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 Infineon Technologies H-37265-2 60W 1.84GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 16.5dB 28V 550mA
PTFA070601FV4R250XTMA1 FET RF LDMOS 60W H37265-3 Infineon Technologies H-37265-2 60W 760MHz 65V 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 19.5dB 28V 600mA
PTFA070601FV4XWSA1 FET RF LDMOS 60W H37265-2 Infineon Technologies H-37265-2 60W 760MHz 65V 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 19.5dB 28V 600mA
PTFB192557SHV1XWSA1 IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2 Infineon Technologies H-34288G-4/2 60W 1.99GHz 65V H-34288G-4/2 LDMOS 19dB 28V 1.35A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100