• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
PTF210451F V1 IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 Infineon Technologies H-31265-2 45W 2.17GHz 65V 1µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 14dB 28V 500mA GOLDMOS®
PTF140451E V1 IC FET RF LDMOS 45W H-30265 Infineon Technologies H-30265-2 45W 1.5GHz 65V 1µA 2-Flatpack, Fin Leads LDMOS 18dB 28V 550mA GOLDMOS®
PTFA181001E V4 T500 IC FET RF LDMOS Infineon Technologies H-36248-2 45W 1.805GHz ~ 1.88GHz 65V 2-Flatpack, Fin Leads LDMOS 16.5dB 28V 750mA
PTFA240451E V1 IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Infineon Technologies H-30265-2 45W 2.48GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads LDMOS 14dB 28V 450mA GOLDMOS®
PTFA260451E V1 IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Infineon Technologies H-30265-2 45W 2.68GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads LDMOS 15dB 28V 500mA GOLDMOS®
PTF140451F V1 IC FET RF LDMOS 45W H-31265 Infineon Technologies H-31265-2 45W 1.5GHz 65V 1µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 18dB 28V 550mA GOLDMOS®
PTFA240451E V1 R250 IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Infineon Technologies H-30265-2 45W 2.48GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads LDMOS 14dB 28V 450mA GOLDMOS®
PTF210451E V1 IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Infineon Technologies H-30265-2 45W 2.17GHz 65V 1µA 2-Flatpack, Fin Leads LDMOS 14dB 28V 500mA GOLDMOS®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100