• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 62
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
RF1S15N06 DISCRETE ,LOGIC LEVEL GATE (5V), Harris Corporation
HUF75307T3ST136 13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL, Harris Corporation
IRFU220S2497 4.6A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL Harris Corporation
RFP30N6LER4541 30A, 60V, LOGIC LEVEL N CHANNEL Harris Corporation
RFD3055SM9AS2479 12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL, Harris Corporation
HUF7554S3S HUF755453S - 75A, 80V, 0.010 OHM Harris Corporation
RF1K49223 DUAL P-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation 8-SOIC Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 2 P-Channel (Dual) 30V 2.5A Standard
IRF214 IRF214 Harris Corporation
RFIS40N10LE 40A, 100V, 0.040OHM, N-CHANNEL, Harris Corporation
IRFR2209A PFET, 4.6A I(D), 200V, 0.8OHM, 1 Harris Corporation
RF1S17N06L DISCRETE ,LOGIC LEVEL GATE (5V), Harris Corporation
IRF640S2497 18A, 200V, 0.18OHM, N-CHANNEL, Harris Corporation
IRF730R4587 5.5A 400V 1.000 OHM N-CHANNEL Harris Corporation
RFIS30P06 30A, 60V, 0.075OHM, P-CHANNEL, Harris Corporation
IRF540RP2 28A, 100V, 0.077 OHM, N-CHANNEL Harris Corporation
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100