• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 62
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
RFP40N10S5001 40A, 100V, 0.04OHM, N CHANNEL, M Harris Corporation
IRF9622156 3A, 200V, 2.4OHM, P-CHANNEL, POW Harris Corporation
IRF512S2532 4.9A, 100V, 0.74 OHM, N-CHANNEL Harris Corporation
RF1S530SM9AS2457 N-CHANNEL, POWER MOSFET Harris Corporation
BUZ60BU 400V, N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation
IRFR91209AR3603 5.6A, 100V, 0.6OHM, P-CHANNEL, Harris Corporation
IRFR220119 4.6A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL Harris Corporation
IRF620R4587 5.0A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL Harris Corporation
IRF1S30P05SM IRF1S30P05SM Harris Corporation
IRF730U 5.5A 400V 1.000 OHM N-CHANNEL Harris Corporation
IRF740S2515 10A, 400V, 0.55OHM, N-CHANNEL, P Harris Corporation
RFP70N06S5001 70A, 60V, 0.014OHM, N-CHANNEL Harris Corporation
IRF84093 7A, 450V, 0.85OHM, N-CHANNEL, PO Harris Corporation
RF1S30N06LE 30A, 60V, 0.047OHM, N-CHANNEL, Harris Corporation
RF1S30P06 30A, 60V, 0.065OHM, P-CHANNEL, Harris Corporation
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100